低温沉积SiO_2负离子性的研究

一、引言 低温沉积SiO_2工艺,在半导体器件生产中的应用愈来愈多,尤其是在集成电路(双极型和MOS型)生产中更为广泛。它能明显的改善器件表面状况,以提高击穿电压、改进小电流下晶体管的β、减小漏电、避免寄生效应等。