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| 硼对a—Si：H薄膜中氢含量的影响 | |
| 引用本文： | 徐进章,宋志忠.硼对a—Si：H薄膜中氢含量的影响[J].兰州大学学报(自然科学版),1997,33(3):45-48. |
| 作者姓名： | 徐进章 宋志忠 |
| 作者单位： | 兰州大学现代物理系(徐进章)，兰州大学物理系(宋志忠) |
| 摘 要： | 应用核反应分析法（ＮＲＡ）测量了反应溅射法制备的ａ－ＳｉＨ（Ｂ）薄膜中Ｂ和Ｈ的含量．结果表明：当掺杂比率Ｙｇ（＝［Ｂ２Ｈ２］／（［Ａｒ］＋［Ｈ２］））由１０－６增大到１．４×１０－２时，样品中的硼含量ｃＢ由１．０×１０１８线性增大到１．４×１０２２ａｔｃｍ－３；而氢含量的变化分为三个区域：在微掺硼情况（Ｙｇ＝１０－６），样品中氢含量较未掺硼时高出１０％；当Ｙｇ＝１０－６到１０－３变化时，Ｈ含量ｃＨ由２８％线性减少到１７％；在Ｙｇ＝１０－３时，Ｈ含量达极小值，此后，Ｙｇ增大，Ｈ含量随之增大． |
| 关 键 词： | 薄膜 硼 掺杂 氢含量 硅 半导体 |
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