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a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究
引用本文:张亚菲,李亚红,张仿清.a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1990(4).
作者姓名:张亚菲  李亚红  张仿清
作者单位:兰州大学物理系 (张亚菲,李亚红),兰州大学物理系(张仿清)
摘    要:采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.

关 键 词:半绝缘体  半导体表面钝化  热稳定性实验  等离子体  CVD  薄膜  释氢谱
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