| 砷化镓光导开关中的电子雪崩域 |
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| 引用本文： | 刘鸿,郑理,朱晓玲,杨维,戴松晖,杨煜婷,邬丹.砷化镓光导开关中的电子雪崩域[J].成都大学学报(自然科学版),2015,34(2):141-143. |
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| 作者姓名： | 刘鸿 郑理 朱晓玲 杨维 戴松晖 杨煜婷 邬丹 |
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| 作者单位： | 1. 成都大学电子信息工程学院,四川成都,610106;2. 成都工业学院机械工程学院,四川成都,611730 |
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| 摘 要： | 分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.
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| 关 键 词： | 砷化镓光导开关 碰撞电离 局域特性 电子雪崩域 |
Electron Avalanche Domain (EAD) in GaAs Photoconductive Semiconductor Switches (PCSS) |
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| LIU Hong,ZHENG Li,ZHU Xiaolin,YANG Wei,DAI Songhui,YANG Yuting,WU Dan.Electron Avalanche Domain (EAD) in GaAs Photoconductive Semiconductor Switches (PCSS)[J].Journal of Chengdu University (Natural Science),2015,34(2):141-143. |
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| Authors: | LIU Hong ZHENG Li ZHU Xiaolin YANG Wei DAI Songhui YANG Yuting WU Dan |
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