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| 掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究 | |
| 引用本文： | 夏秀文,王水凤,元美玲.掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究[J].吉安师专学报,2002,23(5):4-6,10. |
| 作者姓名： | 夏秀文 王水凤 元美玲 |
| 作者单位： | [1]井冈山师范学院物理系，江西吉安343009 [2]南昌大学物理系，江西南昌330047 |
| 摘 要： | 通过对SiO2:Nd的PL谱分析，并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si^ →SiO2、C^*→SiO2等的PL谱进行比较，总结出薄膜光致发光的一些特性。 |
| 关 键 词： | 硅基氧化薄膜 光致发光特性 稀土掺杂 半导体硅 钕 PL谱 离子注入法 |
| 文章编号： | 1006-1975(2002)05-0004-03 |
Study of photoluminescence properties in Nd-doped-Si-based oxide films |
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