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| NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析 | |
| 引用本文： | 郝梅,黄新堂,王又青,王秋良,陈清明,徐启阳.NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析[J].华中师范大学学报(自然科学版),2000,34(2). |
| 作者姓名： | 郝梅 黄新堂 王又青 王秋良 陈清明 徐启阳 |
| 作者单位： | 1. 华中师范大学,物理系,武汉,430079 2. 华中师范大学,物理系,武汉,430079;华中理工大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074 3. 华中理工大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助课题 ( 5960 2 0 0 4 ) |
| 摘 要： | 室温下在 Ni Cr合金 ( Hastelloy c-2 75)基底上应用 Ar 离子源辅助 ,准分子脉冲激光沉积了Ce O2 薄膜 .结果表明 :在合适的外部条件控制下 ,直接在 Ni Cr合金基底上可以制备出 c-轴取向的 Ce O2薄膜 ,但这时的 Ce O2 薄膜在其 a-b平面内没有观察到织构的信息 ;进一步在相同的条件下 ,首先在 Ni Cr合金基底上制备一层 YSZ( Yttria-Stabilized Zirconia) ,再在 YSZ/Ni Cr上制备 Ce O2 薄膜 ,这时的 Ce O2薄膜不但是 c-轴取向 ,同时在其 a-b平面内织构 . |
| 关 键 词： | 脉冲激光 CeO_2薄膜 NiCr合金基底 离子源辅助 |
An analysis of CeO2 films on the hastelloy substrates deposited by laser ablation with Ar+ ion beam assistance |
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| HAO Mei,HUANG Xin-tang,WANG You-qing,WANG Qiu-liang,CHEN Qing-ming,XU Qi-yang.An analysis of CeO2 films on the hastelloy substrates deposited by laser ablation with Ar+ ion beam assistance[J].Journal of Central China Normal University(Natural Sciences),2000,34(2). | |
| Authors: | HAO Mei HUANG Xin-tang WANG You-qing WANG Qiu-liang CHEN Qing-ming XU Qi-yang |
| Abstract: | The CeO 2 films were deposited by pulsed laser ablation on hastelloy substrates at room temperature with the Ar ion beam assistance.The results show that when the CeO 2 films are deposited directly on the hastelloy substrates,the desired (001) normal textured are achieved,but there is no evidence for alignment of in plane crystal axes. Further experimental results indicate that CeO 2/YSZ(Yttria Stabilized Zirconia)/Hastelloy films deposited under the same conditions are not only normal orientation to the substrate's surface but also highly in plane textured. |
| Keywords: | pulsed laser CeO 2 film hastelloy substrate ion beam assistance |
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