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CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料的研究进展
引用本文:苗峰,黄毅,张传武.CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料的研究进展[J].攀枝花学院学报,2011,28(3).
作者姓名:苗峰  黄毅  张传武
作者单位:西南民族大学电信学院,四川成都,610041
基金项目:西南民族大学青年项目,项目编号:234825
摘    要:CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料是具有黄铜矿结构的半导体化合物,由于具有大的吸收系数,并可通过改变x来调整禁带宽度从而实现能隙裁剪等优点,已广泛应用于制备太阳能电池,其转化效率可高达18.8%。目前,CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜的制备主要有三段制备法和金属层预置后硒化法两种。对上述两种制备方法进行了介绍,总结了CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料在太阳能电池中的商业化现状。并提出今后CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料研究应在进一步研究薄膜的形成机理,降低缺陷,寻找更合适的晶格适配率衬底材料等方面进行。

关 键 词:CuGa_(1-x)In_xSe_2  薄膜  太阳能电池  

The Research Progress of Thin Film Material CuGa1-xInx Se2
Abstract:
Keywords:
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