CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料的研究进展 |
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引用本文: | 苗峰,黄毅,张传武.CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料的研究进展[J].攀枝花学院学报,2011,28(3). |
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作者姓名: | 苗峰 黄毅 张传武 |
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作者单位: | 西南民族大学电信学院,四川成都,610041 |
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基金项目: | 西南民族大学青年项目,项目编号:234825 |
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摘 要: | CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料是具有黄铜矿结构的半导体化合物,由于具有大的吸收系数,并可通过改变x来调整禁带宽度从而实现能隙裁剪等优点,已广泛应用于制备太阳能电池,其转化效率可高达18.8%。目前,CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜的制备主要有三段制备法和金属层预置后硒化法两种。对上述两种制备方法进行了介绍,总结了CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料在太阳能电池中的商业化现状。并提出今后CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料研究应在进一步研究薄膜的形成机理,降低缺陷,寻找更合适的晶格适配率衬底材料等方面进行。
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关 键 词: | CuGa_(1-x)In_xSe_2 薄膜 太阳能电池 |
The Research Progress of Thin Film Material CuGa1-xInx Se2 |
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