GaN/InGaN异质结应变层临界厚度的研究 |
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作者单位: | 漳州师范学院物理与电子信息工程系,福建省半导体材料及应用重点实验室(厦门大学) |
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摘 要: | 本文主要借鉴PB模型和Fisher模型通过优化其中的参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论估算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结应变层临界厚度,最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大。
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关 键 词: | 异质结 应变层 临界厚度 |
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