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| BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究 | |
| 引用本文： | 徐小树,王玉仓,魏英耐,姚乾凯,马丙现,贾瑜,胡行.BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究[J].河南教育学院学报(自然科学版),2001,10(1):21-24. |
| 作者姓名： | 徐小树 王玉仓 魏英耐 姚乾凯 马丙现 贾瑜 胡行 |
| 作者单位： | 1. 河南教育学院物理系,河南,郑州,450003;郑州大学物理工程学院物理系,河南,郑州,450052 2. 河南省南阳第四师范学校,河南,南阳,473000 3. 郑州大学物理工程学院物理系,河南,郑州,450052 |
| 基金项目： | 河南省教委自然科学基金资助的课题! (编号 :1999140 0 0 3) |
| 摘 要： | 本文利用形式散射理论的格林函数方法，采用考虑最紧邻的sp^3s^*模型描述体带，计算了BN（110）面的电子结构，分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度，并进行了较详细的讨论。结果表明：BN（110）DM面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的（110）面的电子结构定性上是类似的，但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别。这与它的反常弛豫有一定的关系。 |
| 关 键 词： | 散射理论 BN（110）面 反常弛豫 投影带结构 层态密度 半导体 电子结构 |
| 文章编号： | 1007-0834(2001)01-21-04 |
| 修稿时间： | 2001年10月11 |
The Surface Electronic States of Anomalous Relaxation BN(110) Surface |
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| XU Xiao shu a,c,WANG Yu cang b,WEI Ying nai c,YAO Qian kai c,MA Bing xian c,JIA Yu c,HU Xing c.The Surface Electronic States of Anomalous Relaxation BN(110) Surface[J].Journal of Henan Education Institute(Natural Science Edition),2001,10(1):21-24. | |
| Authors: | XU Xiao shu a c WANG Yu cang b WEI Ying nai c YAO Qian kai c MA Bing xian c JIA Yu c HU Xing c |
| Abstract: | |
| Keywords: | tight binding model scattering theoretic method BN(110) surface anomalous relaxation projected band structure layer densities of states |
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