首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

多层掺杂对一维声子晶体缺陷模的影响
引用本文:胡丽芬,徐超,董兴成,刘应开.多层掺杂对一维声子晶体缺陷模的影响[J].大理学院学报,2010,9(10).
作者姓名:胡丽芬  徐超  董兴成  刘应开
作者单位:云南师范大学物理系,昆明,650092
基金项目:国家自然科学基金资助项目 
摘    要:利用转移矩阵法研究了多层掺杂情况下一维声子晶体的缺陷模特征.研究发现:随着掺杂层数的变化,缺陷模的数目、透射峰和半高宽都有明显的变化.一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模,二层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模;中心缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加不变,对称缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加向禁带中央移动.中心缺陷模和对称缺陷模的透射峰和半高宽都随掺杂层数的增加而减小.

关 键 词:声子晶体  转移矩阵  多层掺杂  缺陷模

On Influence of Mutilayer Doping on the One-dimensional Phononic Crystal Defect Mode
HU Lifen,XU Chao,DONG Xingcheng,LIU Yingkai.On Influence of Mutilayer Doping on the One-dimensional Phononic Crystal Defect Mode[J].Journal of Dali University,2010,9(10).
Authors:HU Lifen  XU Chao  DONG Xingcheng  LIU Yingkai
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号