| 退火温度对铁酸铋薄膜阻变特性的影响 |
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| 引用本文： | 罗劲明.退火温度对铁酸铋薄膜阻变特性的影响[J].科学技术与工程,2018,18(33). |
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| 作者姓名： | 罗劲明 |
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| 作者单位： | 嘉应学院物理与光信息科技学院 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金博士科研启动项目（2014A030310410）；嘉应学院省市共建项目建设专项经费 |
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| 摘 要： | 在氧化铟锡衬底上利用溶胶凝胶法,分别在500℃和600℃退火条件下,制备了锰掺杂的铁酸铋薄膜。两种退火温度下制备出来的薄膜均具有典型的钙钛矿晶体结构,但高温退火的薄膜晶粒尺寸要比低温退火的薄膜大。此外,随着退火温度的升高,薄膜的介电常数增大,漏电流也随之增加。通过测量约120个电流电压循环曲线,研究了这两种退火温度下锰掺杂铁酸铋薄膜的阻变效应,发现高温退火下薄膜的阻变性能稳定性要比低温退火的薄膜好。最后,基于氧空位相关的导电丝理论,进一步讨论分析了退火温度对薄膜介电、漏电性能和阻变特性的影响。
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| 关 键 词： | 铁酸铋 阻变 退火温度 |
| 收稿时间： | 2018/7/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/8/21 0:00:00 |
Annealing Temperature Effect on Resistive Switching in Mn-doped BiFeO3 Thin Film |
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| LUO Jin-ming.Annealing Temperature Effect on Resistive Switching in Mn-doped BiFeO3 Thin Film[J].Science Technology and Engineering,2018,18(33). |
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| Authors: | LUO Jin-ming |
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| Institution: | School of Physics and Optical Information Sciences,Jiaying University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiFeO3 resistive switching annealing temperature |
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