| 高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路 |
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| 引用本文： | 季轻舟,耿增建.高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路[J].科学技术与工程,2008,8(21). |
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| 作者姓名： | 季轻舟 耿增建 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准，利用PN结正向导通压降具有负温度系数，偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数，实现了过温保护。采用上华0．5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真，Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1．242V。该电路温度系数低，电源抑制比高，启动速度快（启动时间仅10μs），过温保护性能良好。
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| 关 键 词： | 带隙基准 快速启动 过温保护 电源抑制比 |
Design of High Performance CMOS Bandgap Reference with over Temperature Protection Circuit |
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| JI Qing-zhou,GENG Zeng-jian.Design of High Performance CMOS Bandgap Reference with over Temperature Protection Circuit[J].Science Technology and Engineering,2008,8(21). |
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| Authors: | JI Qing-zhou GENG Zeng-jian |
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