基于AlAs/InGaAs/GaAs共振隧穿效应的纳机电声传感器研制 |
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引用本文: | 仝召民,薛晨阳,张斌珍,刘俊,乔慧,郭慧芳.基于AlAs/InGaAs/GaAs共振隧穿效应的纳机电声传感器研制[J].科技通讯(上海),2008,14(1):23-27. |
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作者姓名: | 仝召民 薛晨阳 张斌珍 刘俊 乔慧 郭慧芳 |
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作者单位: | 中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051 |
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摘 要: | 本工作设计了一种基于AlAs/InGaAs/GaAs量子隧穿效应的纳机电拍子式声传感器,并采用ANSYS有限元分析软件对敏感元件的布置位置进行了最优化仿真设计。在加工工艺上,采用双空气桥技术和Au/Ge/Ni合金膜系欧姆接触技术有效降低了电容、电阻等对器件结构性能的影响;在传感器的具体加工过程中,共振隧穿结构(RTS)和拍子结构是通过控制孔技术一次流片完成的。对所加工的传感器进行了初步测试,结果表明,传感器频响能较好的与仿真结果相吻合,1.3KHz时同时具有较好的线性特性。
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关 键 词: | AlAs/InGaAs/GaAs 拍子 声传感器 共振隧穿结构 |
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