Cr2O3对（Co，Ta）掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co，Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0．15mol％时，(Co，Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V／mm增加到493v／mm；1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498；晶界势垒高度分析表明，SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0．15mol％Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24，击穿电压达498V／mm，在高压保护领域有很好的应用前景。