电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料，采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜，为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时，从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面，在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低，所以，退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。