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基于共振隧穿结构的压阻系数
引用本文:魏天杰,薛晨阳,李艳,张文栋.基于共振隧穿结构的压阻系数[J].科技通讯(上海),2008,14(1):179-183.
作者姓名:魏天杰  薛晨阳  李艳  张文栋
作者单位:[1]中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051 [2]中北大学物理系,太原030051
摘    要:以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同。由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件。但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值。另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性。本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右。

关 键 词:共振隧穿结构  压阻系数  I-V曲线  灵敏度
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