| 单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟 |
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| 引用本文： | 卢刚,李静.单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟[J].西安理工大学学报,2007,23(4):375-378. |
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| 作者姓名： | 卢刚 李静 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅计划;西安理工大学校特色研究基金;高学历人才基金 |
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| 摘 要： | 建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。
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| 关 键 词： | 单电子存储器 Monte Carlo模拟 存储时间 |
| 文章编号： | 1006-4710（2007）04-0375-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-06 |
| 修稿时间： | 2007年8月6日 |
Monte Carlo Simulation of the Storage Time of Single Electron Memory Device |
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| LU Gang,LI Jing.Monte Carlo Simulation of the Storage Time of Single Electron Memory Device[J].Journal of Xi'an University of Technology,2007,23(4):375-378. |
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| Authors: | LU Gang LI Jing |
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| Abstract: | The models of Monte Carlo method of the storage time of the multiple-tunnel-junction single-electron memory device is established in this paper.The storage time of the devices under influence of such parameters as the operation temperature,capacitance and the number of tunnel junction have been analyzed emphatically.A flow and method is proposed to simulate the storage time of single-electron memory device by Monte Carlo method.The calculation results indicate that the lower the temperature is,the smaller the tunnel junction capacitance is,the more the number of the tunnel junctions in the electric circuit is,the longer the storage time is. |
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| Keywords: | single electron memory device Monte Carlo simulation storage time |
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