| 新型热电SnSe半导体晶体研究进展 |
| |
| 引用本文： | 金敏,李雨萌,申慧,田甜,徐家跃.新型热电SnSe半导体晶体研究进展[J].上海应用技术学院学报,2018,18(2):100-105. |
| |
| 作者姓名： | 金敏 李雨萌 申慧 田甜 徐家跃 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51572175)、浙江省自然科学基金(LY17A040012)、浙江省公益研发项目(2017C31006)、宁波市自然科学基金(2017A610009)、上海市自然科学基金(15ZR1440600)资助。 |
| |
| 摘 要： | SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶体在生长过程中极易出现解理和开裂,难以获得大尺寸晶体。本文对当前国内外几种主流SnSe晶体生长方法进行了归纳,包括水平气相法、垂直布里奇曼法、垂直温度梯度法等,综合评价了各种方法的优缺点。重点介绍了本团队在水平布里奇曼法生长SnSe晶体方面的研究结果,该方法有望成为未来制备高质量、大尺寸SnSe晶体的一种主流技术。此外,还将不同SnSe晶体的热电优值ZT进行了比较,并对其性能波动进行了初步分析。本综述论文将有助于加深人们对SnSe晶体生长特性的认识,并为未来该晶体材料制备和性能研究提供参考。
|
| 关 键 词： | SnSe晶体 热电材料 晶体生长 水平布里奇曼法 |
| 收稿时间： | 2018/6/1 0:00:00 |
Recent Progress of Novel Thermoelectric SnSe Semiconductor Crystal |
| |
| JIN Min,LI Yumeng,SHEN Hui,TIAN Tian and XU Jiayue.Recent Progress of Novel Thermoelectric SnSe Semiconductor Crystal[J].Journal of Shanghai Institute of Technology: Natural Science,2018,18(2):100-105. |
| |
| Authors: | JIN Min LI Yumeng SHEN Hui TIAN Tian and XU Jiayue |
| |
| Institution: | Ningbo Institute of Industrial Technology, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, Zhejiang, China,Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China,Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China,Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China and Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《上海应用技术学院学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《上海应用技术学院学报》下载免费的PDF全文 |
|
