| 基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路 |
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| 引用本文： | 谢生,谷由之,毛陆虹,吴思聪,高谦.基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),2018(1). |
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| 作者姓名： | 谢生 谷由之 毛陆虹 吴思聪 高谦 |
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| 作者单位： | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室;天津大学电气自动化与信息工程学院; |
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| 摘 要： | 基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz~(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm.
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