| 氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 刘陈,朱光喜,刘德明.氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(7):42-44. |
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| 作者姓名： | 刘陈 朱光喜 刘德明 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,电子与信息工程系,湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 华中科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.
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| 关 键 词： | 铟锡氧化物(ITO) 氧等离子体处理 原子力显微镜 有机发光二极管 氧等离子体处理 表面处理 薄膜表面 影响 films oxygen plasma treatment 光电性能 有机发光二极管 改善 解释 结果 氧空位 氧化 平整度 平均粗糙度 导电性能 微观表面形貌 研究 区域 显微镜检测 |
| 文章编号： | 1671-4512（2007）07-0042-03 |
| 修稿时间： | 2006-03-16 |
Influence of oxygen plasma treatment on indium-tin-oxide films |
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| Liu Chen,Zhu Guangxi,Liu Deming.Influence of oxygen plasma treatment on indium-tin-oxide films[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2007,35(7):42-44. |
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| Authors: | Liu Chen Zhu Guangxi Liu Deming |
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| Institution: | 1 Department of Electronics and Information; 2 College of Optoelectronics Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | From microcosimic point, the microcosmic morphology and electrical properties of indiumtin-oxide films was investigated with atomic force microscopy to explore the oxygen plasma treatment behaviour. The research results show that the average surface roughness of ITO film decreased from 4.6 nm to 2.5 nm and its conductance decreased greatly after oxygen plasma treatment, which originates from the decrease of oxygen vacancies caused by the further oxidization of indium-tin-oxide. These results explain why the oxygen plasma treatment can improve the performance of organic light-emitting diode. |
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| Keywords: | indium-tin-oxide(ITO) oxygen plasma treatment atomic force microscopy organic light-emitting diode |
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