| InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性 |
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| 引用本文： | 黄晓东,黄德修,刘雪峰.InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性[J].华中科技大学学报(自然科学版),1999(10). |
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| 作者姓名： | 黄晓东 黄德修 刘雪峰 |
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| 作者单位： | 华中理工大学光电子工程系 |
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| 摘 要： | 对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生，而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合．对单量子阱片进行快速退火处理后，荧光峰位置、峰宽无明显变化，表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低，也与退火时间的长短密切相关．
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| 关 键 词： | 量子阱混合 InGaAsP四元系材料 光荧光谱 |
Thermal Stability of InGaAsP Quaternary Quantum Wells Materials |
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| Huang Xiaodong Huang Dexiu Liu XuefengHuang Xiaodong Doctoral Candidate, Dept. of Optoelectronic Eng.,HUST,Wuhan ,China ..Thermal Stability of InGaAsP Quaternary Quantum Wells Materials[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1999(10). |
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| Authors: | Huang Xiaodong Huang Dexiu Liu XuefengHuang Xiaodong Doctoral Candidate Dept of Optoelectronic Eng HUST Wuhan China |
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| Institution: | Huang Xiaodong Huang Dexiu Liu XuefengHuang Xiaodong Doctoral Candidate, Dept. of Optoelectronic Eng.,HUST,Wuhan 430074,China . |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well intermixing InGaAsP quartemary material photoluminescence spectrum |
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