Ce:YIG磁光薄膜法拉第旋转谱的理论计算 |
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引用本文: | 胡华安,何华辉,等.Ce:YIG磁光薄膜法拉第旋转谱的理论计算[J].华中科技大学学报(自然科学版),2001,29(1):59-60. |
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作者姓名: | 胡华安 何华辉 |
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作者单位: | [1]军事经济学院军用物资系 [2]华中科技大学电子科学与技术 |
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摘 要: | 考虑到Ce^3 的5d,4f以及Fe^3 的3d电子轨道形成具有较大自旋-轨道相互作用的耦合轨道(Ce4f Ce5d Fe3d),将Ce^3 离子的含量与耦合轨道联系起来,并给出Ce^3 离子的含量与跃迁中心数之间的定量关系式。在ω=0.8-3.2eV的范围内,计算了x=0.3和x=0.7时Y3-xCexFe5O12的法拉第旋转谱。结果表明,Ce:YIG的法拉第旋转角的增加主要是由于Ce^3 的掺入形成耦合轨道,使其自旋-轨道劈裂增加所导致。
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关 键 词: | 磁光效应 跃迁中心 自旋-轨道劈裂 法拉第旋转谱 掺铈钇铁石榴石 磁光薄膜 电子结构 |
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