| LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 杨卫明,彭刚,李建军,于军.LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响[J].华中科技大学学报(自然科学版),2008,36(8). |
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| 作者姓名： | 杨卫明 彭刚 李建军 于军 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3,Sr1/3 MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5V电压(电场约125kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec 分别为50.5μC/cm2和55kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.
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| 关 键 词： | 电子材料 铁电薄膜 射频磁控溅射 铁电性能 |
Effect of LSMO buffer layer on the properties of PTZT thin films |
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| Yang Weiming,Peng Gang,Li Jianjun,Yu Jun.Effect of LSMO buffer layer on the properties of PTZT thin films[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2008,36(8). |
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| Authors: | Yang Weiming Peng Gang Li Jianjun Yu Jun |
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