| 硅粉在鞘区内的纯化速率模型 |
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| 引用本文： | 许淑慧,王敬义,冯信华,陈正强.硅粉在鞘区内的纯化速率模型[J].华中科技大学学报(自然科学版),2006,34(5):53-55,67. |
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| 作者姓名： | 许淑慧 王敬义 冯信华 陈正强 |
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| 作者单位： | 1. 广西工学院,电子信息与控制工程系,广西,柳州,545006
2. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率,计算结果表明高能中性粒子在很大的空间范围内其刻蚀作用大于离子.在阴极电压为2 300 V的情况下,一次沉降的最大刻蚀量可达50层原子、刻蚀速率1.1×1016/(cm2.s-1),这对粉粒在等离子体中的表面刻蚀和纯化都具有一定的意义.
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| 关 键 词： | 离子刻蚀 等离子体纯化 阴极鞘层 硅粉粒 |
| 文章编号： | 1671-4512（2006）05-0053-03 |
| 收稿时间： | 04 4 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-04-04 |
Purity rate model for Si particulates in the sheath |
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| Xu Shuhui,Wang Jingyi,Feng Xinhua,Chen Zhengqiang.Purity rate model for Si particulates in the sheath[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2006,34(5):53-55,67. |
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| Authors: | Xu Shuhui Wang Jingyi Feng Xinhua Chen Zhengqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion etching plasma purity cathode sheaths Si particulate |
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