| 脉冲功率开关RSD的高dⅠ／dt特性研究 |
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| 引用本文： | 梁琳,余岳辉,颜家圣,周郁明.脉冲功率开关RSD的高dⅠ／dt特性研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(3):1-4. |
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| 作者姓名： | 梁琳 余岳辉 颜家圣 周郁明 |
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| 作者单位： | [1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]襄樊台基半导体有限公司,湖北襄樊441021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50277016,50577028）;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20050487044）. |
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| 摘 要： | 基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大，随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大．RSD的dⅠ／dt耐量可达1×10^5A·μs^-1，远高于普通晶闸管，可应用于短脉冲大电流领域．
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| 关 键 词： | 通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关 |
| 修稿时间： | 03 10 2006 12:00AM |
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