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快速数字电平转换电路IP核设计
引用本文:邹雪城,孔令荣,曾子玉.快速数字电平转换电路IP核设计[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(7):58-61.
作者姓名:邹雪城  孔令荣  曾子玉
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:基于IP核的技术设计了一种快速数字电平转换电路.采用电压-电流-电压的方式实现不同电压域的电平转换,引入单稳态延时电路和快慢速通道提高电平转换速度和降低静态功耗,并给出了与标准CMOS工艺兼容的扩展漏极高压MOS管的优化设计.仿真结果表明:在将-5~ 5V电压域的数字电平转换成0~ 12V的电压域时,其延时可低于10ns.

关 键 词:互补金属氧化物半导体(CMOS)  电压域  电平转换  IP核  快速  数字  高电平  转换电路  核设计  circuit  shift  voltage  digital  high  speed  IP  core  延时电路  仿真结果  优化设计  扩展  工艺兼容  CMOS  标准  低静态功耗  转换速度
文章编号:1671-4512(2007)07-0058-04
修稿时间:2006-08-10

Design of IP core for high speed digital voltage shift circuit
Zou Xuecheng,Kong Lingrong,Zeng Ziyu.Design of IP core for high speed digital voltage shift circuit[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2007,35(7):58-61.
Authors:Zou Xuecheng  Kong Lingrong  Zeng Ziyu
Institution:Department of Electronics Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
Abstract:
Keywords:complementary metal oxide semicenductor(CMOS)  voltage domain  voltage shift  intellectual property(IP) core
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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