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ZnO∶Ga和ZnO∶Co纳米结构双光子荧光特性
引用本文:周威,郭万克,韩一波,朱本鹏.ZnO∶Ga和ZnO∶Co纳米结构双光子荧光特性[J].华中科技大学学报(自然科学版),2012,40(11):103-105,110.
作者姓名:周威  郭万克  韩一波  朱本鹏
作者单位:1. 荆州理工职业学院信息工程系,湖北荆州434000 华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074
2. 荆州理工职业学院信息工程系,湖北荆州,434000
3. 华中科技大学武汉国家脉冲强磁场中心,湖北武汉,430074
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:利用化学气相沉淀法(CVD),以Au为催化剂,在硅片衬底上制备出了纯ZnO与Ga掺杂ZnO和Co掺杂ZnO的纳米结构产物.对产物进行了物相分析与微观表征,并研究了双光子荧光特性.结果表明:样品均体现了较好的双光子光致发光性能;与纯ZnO纳米棒相比,Ga掺杂ZnO纳米棒在385nm波长处具有很强的紫外发射峰,在520nm波长处具有较强的绿光发射峰;Co掺杂ZnO纳米片在540nm波长处具有很强的绿光发射峰,在385nm波长处具有非常弱的紫外发射峰,且可见光发射强度增高.

关 键 词:氧化锌  掺杂  一维纳米结构  化学气相沉积法  双光子荧光

Two-photon excited fluorescence of ZnO : Ga and ZnO : Co nanostructures
Zhou Wei,a Guo Wanke,a Han Yibo,b Zhu Benpeng.Two-photon excited fluorescence of ZnO : Ga and ZnO : Co nanostructures[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2012,40(11):103-105,110.
Authors:Zhou Wei  a Guo Wanke  a Han Yibo  b Zhu Benpeng
Institution:1 Department of Information Engineering,Jingzhou Vocational College of Technology,Jingzhou 434000,China;2 a Department of Electronic Science and Technology;b Wuhan National High Magnetic Field Center,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China)
Abstract:
Keywords:ZnO  doped  one-dimensional nanostructure  chemical vapour deposition (CVD) methodtwo-photon excited fluorescence
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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