| Al-Si合金中初晶Si的台阶生长 |
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| 引用本文： | 王渠东,丁文江,翟春泉,徐小平,金俊泽.Al-Si合金中初晶Si的台阶生长[J].上海交通大学学报,1999,33(2):142-145. |
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| 作者姓名： | 王渠东 丁文江 翟春泉 徐小平 金俊泽 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院 200030
2. 大连理工大学铸造工程研究中心 |
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| 摘 要： | 采用离心倾液法研究过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶Ｓｉ的生长形貌时发现，初晶Ｓｉ存在生长台阶，台阶的高度为数十至数百微米，从初晶Ｓｉ根部至尖端，台阶的高度逐渐变小，初晶Ｓｉ存在位错台阶生长机制．这一生长机制能够形成棱柱体或棱锥体、八面体和球形初晶Ｓｉ，以及产生初晶Ｓｉ的分枝和形成初晶Ｓｉ的生长迹线．
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| 关 键 词： | 离心倾液法 初晶Si 台阶生长 |
| 修稿时间： | 1998-07-08 |
Step Growth of Primary Silicon in Al-Si Alloy |
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| Wang Qudong,Ding Wenjiang,Zhai Chunquan,Xu Xiaoping,Jin Junze.Step Growth of Primary Silicon in Al-Si Alloy[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,1999,33(2):142-145. |
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| Authors: | Wang Qudong Ding Wenjiang Zhai Chunquan Xu Xiaoping Jin Junze |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | decantation during centrifugal casting primary silicon step growth |
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