La2Cu1-xLixO4+δ体系低频内耗研究 |
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引用本文: | 陈志军,,杨春利,吴修胜,刘卫.La2Cu1-xLixO4+δ体系低频内耗研究[J].上海交通大学学报,2010,44(5):692-0696. |
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作者姓名: | 陈志军 ,杨春利,吴修胜,刘卫 |
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作者单位: | (1.中国科学技术大学 中国科学院能源转换材料重点实验室,合肥 230026;2.安徽省绩溪中学,安徽 宣城 245300) |
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摘 要: | 采用强迫振动方法对La2Cu1-xLixO4+δ(0.02≤x≤0.15)系列氧化物超导体的母体化合物的低频内耗和模量进行了研究.结果表明,当x=0.02,0.05时,La2Cu1-xLixO4+δ在250 K附近存在一个弛豫型内耗峰P1,为共价氧对形式的额外氧跳跃弛豫运动的结果;当x=0.10,0.15时,La2Cu1-xLixO4+δ除了存在内耗峰P1外,在200 K附近还出现了内耗峰P2;La2Cu1-xLixO4+δ在高温区域的模量反常现象反映了体系的正交与四方结构转变,其相变温度随Li的掺杂量的增加而向低温区域移动.
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关 键 词: | 氧化物超导体 无损检测 额外氧 内耗 相变 |
收稿时间: | 2009-5-10 |
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