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| 之字形β-Ga_2O_3纳米材料的合成和表征 | |
| 引用本文： | 王月辉,刘璐,田宏燕,解莹,王红蕾,王东军.之字形β-Ga_2O_3纳米材料的合成和表征[J].河北科技师范学院学报,2010,24(1):15-18. |
| 作者姓名： | 王月辉 刘璐 田宏燕 解莹 王红蕾 王东军 |
| 作者单位： | 河北科技师范学院,理化学院,河北,秦皇岛,066600 |
| 摘 要： | 采用溶剂热的方法,以NaN3和GaCl3做反应物,在二甲苯做溶剂的条件下,成功的合成了之字形β-Ga2O3纳米材料。利用XRD,TEM,SAED,EDS,HRTEM,PL和模型分别对之字形β-Ga2O3纳米材料的形貌和结构进行了分析。结果表明,之字形β-Ga2O3纳米材料是良好的单晶,沿着10 3]方向子自堆垛生长。另外光致发光光谱也显示之字形β-Ga2O3纳米材料在370 nm处有很强的发射峰,并且发生了几十纳米的蓝移。 |
| 关 键 词： | 纳米材料 之字形β-Ga2O3 溶剂热 单晶 自堆垛 蓝移 |
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