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| 用红外线聚光加热炉培育单晶 | |
| 引用本文： | 王玉霞.用红外线聚光加热炉培育单晶[J].中国科学技术大学学报,1986(3). |
| 作者姓名： | 王玉霞 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 随着物性物理学及电子工程学等等的发展,对优质品体及高熔点单品材料提出了迫切的要求.为了适应这一要求,人们对单晶的培育方法及生长技术进行了种种研究.不久前日木研制成功的红外线聚光加热炉就是在这一形势下诞生的.用红外线聚光加热炉培育单品,采用的是FZ 法(即区熔法)生长,氙灯(或卤灯)聚光加热的方式.采用聚光加热,可使温度高达2800℃～3000℃,而且温度稳定.这是以前其他加热方式都很难达到的.从而突破了无法生长难熔物质的单晶材料这一难关.笔者曾在 |
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