离子晶体从熔态生长——Monte-Carlo模拟 |
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引用本文: | 胡兹莆,姚连增.离子晶体从熔态生长——Monte-Carlo模拟[J].中国科学技术大学学报,1981(1). |
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作者姓名: | 胡兹莆 姚连增 |
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作者单位: | 中国科学技术大学物理系
(胡兹莆),中国科学技术大学物理系(姚连增) |
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摘 要: | 我們用Monte-Carlo模拟方法,模拟离子晶体与它的熔体相平衡时的界面型貌,得出:当界面形貌因子γ>13时,界面是光滑的;当γ<12时界面是粗糙的。本文还探討了γ因子的物理意义:γ与物质的相变熵L/KT成正比;与馬德隆常数成反比;另外也与晶体在熔体中浸潤情况有关,当浸潤角小时,γ值也小;浸潤角大时,γ值也大。經过推算,大多数离子晶体从熔态中生长时的γ值均小于12,因而界面是粗糙的,生长是連續的。
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