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| 氯化非晶硅的制备及其红外吸收光谱 | |
| 引用本文： | 许存义,吴志强,方容川,金怀诚.氯化非晶硅的制备及其红外吸收光谱[J].中国科学技术大学学报,1982(4). |
| 作者姓名： | 许存义 吴志强 方容川 金怀诚 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 (许存义，吴志强，方容川)，中国科学技术大学物理系(金怀诚) |
| 摘 要： | 利用氢气携带SiCl_4进行rf辉光放电制取了氯化a-Si:H(a-Si:H,Cl)材料.对样品进行电子显微镜衍射照相,得到弥散环图象,说明材料为无定形结构.用化学分析方法测得样品氯含量为4.3%.测量材料的红外吸收光谱表明,除在波数2090、885、830、和635(cm~(-1))出现Si-H 键的特征吸收外.在波数787和737(cm~(-1))还出现两个与氯有关的吸收峰,而在波数610和535(cm~(-1))则出现两个由Si-Cl 键振动引起的吸收峰.本文还对结果进行了讨论. |
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