| ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应 |
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| 引用本文： | 朱梓英,雷德铭.ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应[J].中山大学学报(自然科学版),1991,30(2):160-162. |
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| 作者姓名： | 朱梓英 雷德铭 |
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| 作者单位： | 中山大学物理学系，中山大学物理学系，中山大学物理学系 |
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| 摘 要： | 利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。
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| 关 键 词： | 正电子 压敏电阻 导电机构 势垒模型 |
Grain Boundary Effect of ZnO Voltage Sensitive Ceramic |
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| Zhu Ziying,Lei Deming,Li Jingde.Grain Boundary Effect of ZnO Voltage Sensitive Ceramic[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,1991,30(2):160-162. |
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| Authors: | Zhu Ziying Lei Deming Li Jingde |
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| Institution: | Zhu Ziying;Lei Deming;Li Jingde Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | positron varistor conduction mechanism berrier model |
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