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| 用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度 | |
| 引用本文： | 余秉才,吴振辉.用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度[J].中山大学学报(自然科学版),1981(1). |
| 作者姓名： | 余秉才 吴振辉 |
| 作者单位： | 中山大学物理学系 (余秉才)，中山大学物理学系(吴振辉) |
| 摘 要： | 引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO_2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中应用.在1977年以后,由J.G.Simmons 等发展了MOS 器件对三角形电压扫描的非平衡响应 |
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