|
|||||
|
|
| 靶电流密度对射频溅射制备无掺杂a-Si:H薄膜特性的影响 | |
| 引用本文： | 朱琼瑞,章佩娴,张世宏.靶电流密度对射频溅射制备无掺杂a-Si:H薄膜特性的影响[J].中山大学学报(自然科学版),1983(4). |
| 作者姓名： | 朱琼瑞 章佩娴 张世宏 |
| 作者单位： | 中山大学物理学系 (朱琼瑞，章佩娴)，中山大学物理学系(张世宏) |
| 摘 要： | 一、引言在(Ar+H_2)气氛中溅射制备的a-Si∶H 薄膜已具有与SiH_4辉光放电制备的薄膜相近的性能,可以用于制造太阳电池等器件.但a-Si∶H 薄膜的性质对制备条件非常敏感.为获得性能优良稳定的薄膜,各实验室已对制备条件进行了许多研究.但关于射频电流或功率的影响之报道尚比较少.Jeffrey 等曾报道,增加溅射功率可以减少a-Si∶H薄膜中的SiH_2键密度,而得到几乎只含SiH 键的薄膜.Martin 和Pawlewice 也报道了溅射时靶的功率密度对a-Si∶H 薄膜的氢含量和氢的键合形式有显著的影响.本工作 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |