| 热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 林丽梅,赖发春,林永钟,瞿燕,盖荣权,陈超英.热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响[J].福建师范大学学报(自然科学版),2006,22(3):42-46. |
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| 作者姓名： | 林丽梅 赖发春 林永钟 瞿燕 盖荣权 陈超英 |
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| 作者单位： | 福建师范大学物理与光电信息科技学院,福建,福州,350007 |
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| 摘 要： | 利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．
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| 关 键 词： | 掺锡氧化铟薄膜 退火 电学性质 光学性质 |
| 文章编号： | 1000-5277（2006）03-0042-05 |
| 收稿时间： | 2006-02-23 |
| 修稿时间： | 2006-02-23 |
Influence of Annealing on the Optical and Electrical Properties of ITO Films Prepared by Direct Current Magnetron Sputtering |
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| LIN Li-mei,LAI Fa-chun,LIN Yong-zhong,QU Yan,GE Rong-quan,CHEN Chao-ying.Influence of Annealing on the Optical and Electrical Properties of ITO Films Prepared by Direct Current Magnetron Sputtering[J].Journal of Fujian Teachers University(Natural Science),2006,22(3):42-46. |
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| Authors: | LIN Li-mei LAI Fa-chun LIN Yong-zhong QU Yan GE Rong-quan CHEN Chao-ying |
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| Institution: | School of Physics and OptoElectronics Technology, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tin-doped indium oxide films annealing optical properties electrical properties |
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