| 磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化 |
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| 引用本文： | 马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋.磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化[J].大连理工大学学报,2019,59(1):28-34. |
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| 作者姓名： | 马铭 任瑛 侯晓多 陈国清 张贵锋 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院, 辽宁 大连 116024;大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室, 辽宁 大连 116024;河南工业大学材料科学与工程学院,河南 郑州,450001 |
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| 基金项目： | 国家国际科技合作专项(2015DFR60370)；航空科学基金资助项目(20153663010). |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析.结果表明,高熵效应有利于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构,且具有(111)择优取向.随着氮化温度的增加,(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大,氮化温度为300℃时,达到最大,随后略微下降.随氮化时间的延长,显微硬度和弹性模量均逐渐增加.
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| 关 键 词： | 多元高熵合金薄膜 低温渗氮 力学性能 |
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