| 磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响 |
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| 引用本文： | 周徐洋,吴爱民,马艳萍,董闯.磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响[J].大连理工大学学报,2014,54(3):298-302. |
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| 作者姓名： | 周徐洋 吴爱民 马艳萍 董闯 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室;大连理工大学材料科学与工程学院;海南大学特种玻璃省重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51131002)；教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助项目(707015)；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT13JN08). |
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| 摘 要： | 采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯B、C及Mg单质靶材为溅射源,573K下在单晶Si(001)表面成功制备硬质非晶态BCMg薄膜.背散射扫描电镜(SEM)图显示薄膜成分均匀,与基体Si片结合良好.X射线光电子能谱(XPS)分析表明薄膜中存在B—B、B—C、C—Mg等键态.X射线衍射仪(XRD)及高分辨透射电镜(HRTEM)测试结果表明薄膜为非晶态结构.某单质靶材溅射功率提高时,沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升.随着薄膜中B含量增加,薄膜中B—B共价键数量增多,BCMg薄膜硬度与断裂韧性均上升.B含量为85%时,BCMg薄膜硬度及断裂韧性分别达到33.9GPa及3MPa·m1/2.
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| 关 键 词： | BCMg 磁控溅射 非晶 力学性能 |
Influence of sputtering power on properties of BCMg thin films prepared by magnetron sputtering |
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| ZHOU Xuyang WU Aimin MA Yanping DONG Chuang.Influence of sputtering power on properties of BCMg thin films prepared by magnetron sputtering[J].Journal of Dalian University of Technology,2014,54(3):298-302. |
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| Authors: | ZHOU Xuyang WU Aimin MA Yanping DONG Chuang |
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| Institution: | ZHOU Xu-yang;WU Ai-min;MA Yan-ping;DONG Chuang;Key Laboratory of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education,Dalian University of Technology;School of Materials Science and Engineering,Dalian University of Technology;Special Glass Key Laboratory of Hainan Province,Hainan University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BCMg magnetron sputtering amorphous mechanical property |
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