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| 俄歇电子能谱研究ZrN2/Si薄膜的界面扩散反应 | |
| 引用本文： | 王莉,殷木省,朱永法,曹立礼.俄歇电子能谱研究ZrN2/Si薄膜的界面扩散反应[J].广西师范大学学报(自然科学版),2003,21(Z4):253-254. |
| 作者姓名： | 王莉 殷木省 朱永法 曹立礼 |
| 作者单位： | 清华大学,分析中心,北京,100084 |
| 摘 要： | ZrNx(x=1,2)是一种性能优异的材料,目前被广泛地应用于集成电路、切削工具、装饰材料1].由于材料的化学惰性,使得使用过程中与基地的结合较差.热处理是解决这一问题的有效方法.因而对界面处化学结合力的产生机制及界面产物的确定是这一课题的重要研究内容,俄歇电子能谱是表面和界面分析的重要工具,其线形分析对埋藏界面化学物种的确定具有独特的优势2,3].本文旨在利用该方法对热处理增强界面结合给予理论上的解释,并对其可能引起的ZrNx薄膜光学性质的改变进行的简单的研究. |
STUDY ON INTERFACE DIFFUSION AND REACTION OF ZrN2/Si |
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