| 硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究 |
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| 引用本文： | 谢书银,石志仪.硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究[J].中南大学学报(自然科学版),1996(2). |
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| 作者姓名： | 谢书银 石志仪 |
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| 作者单位： | 中南工业大学应用物理与热能工程系 |
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| 摘 要： | 推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的关系．结果表明，符合小挠度假设的范围是ω／δ≤１／７．
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| 关 键 词： | 硅 抗弯强度 小挠度 |
STUDY ON LITTLE DEFLECTION IN MEASUREMENT OF FLEXURE STRENGTH FOR SILICON WAFER |
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| Xie Shuying,Shi Zhiyi.STUDY ON LITTLE DEFLECTION IN MEASUREMENT OF FLEXURE STRENGTH FOR SILICON WAFER[J].Journal of Central South University:Science and Technology,1996(2). |
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| Authors: | Xie Shuying Shi Zhiyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon flexcure strength little deflection |
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