| 硅片力学行为与表面损伤 |
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| 引用本文： | 谢书银,石志仪,蔡爱军,李立本,张锦心.硅片力学行为与表面损伤[J].中南大学学报(自然科学版),1998(4). |
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| 作者姓名： | 谢书银 石志仪 蔡爱军 李立本 张锦心 |
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| 作者单位： | 中南工业大学应用物理与热能工程系，浙江大学硅材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 硅材料国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍多，达到材质固有强度，高温弯曲度变化降到磨片的１／４～１／３．研磨片表面７～８μｍ的微腐也可使强度提高到材质强度的７０％～８０％，弯曲度变化降到磨片的１／２～２／３．
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| 关 键 词： | 硅 抗弯强度 弯曲度 表面损伤 |
MECHANICAL BEHAVIOUR AND SURFACE DAMAGE OF SILICON WAFER |
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| Xie Shuyin,Shi Zhiyi,Cai Aigun,Li Liben,Zhang Jinxin.MECHANICAL BEHAVIOUR AND SURFACE DAMAGE OF SILICON WAFER[J].Journal of Central South University:Science and Technology,1998(4). |
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| Authors: | Xie Shuyin Shi Zhiyi Cai Aigun Li Liben Zhang Jinxin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon flexure strength bend surface damage |
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