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偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:A1透明导电膜
引用本文:杨田林,高绪团,韩盛浩.偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:A1透明导电膜[J].曲阜师范大学学报,2002,28(4):59-63.
作者姓名:杨田林  高绪团  韩盛浩
作者单位:山东理工大学物理系,山东理工大学物理系,山东大学物理与微电子学院 255049,山东省淄博市,255049,山东省淄博市,250100,山东省济南市
基金项目:国家自然基金资助课题 (60 1760 2 1)
摘    要:用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 .

关 键 词:偏压磁控溅射法  柔性衬底  制备  ZnO:A1透明导电膜  光电性质  AZO薄膜  负偏压
文章编号:1001-5337(2002)04-0059-05
修稿时间:2002年5月7日

ZnO:Al FILMS DEPOSITED ON WATER-COOLED FLEXIBLE SUBSTRATES BY BIAS RF MAGNETRON SPUTTERING
Abstract:
Keywords:electrical and optical properties  AZO films  bias voltage Sputtering
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