| GaAs掺杂超晶格的PR谱研究 |
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| 引用本文： | 赵明山,王若桢.GaAs掺杂超晶格的PR谱研究[J].曲阜师范大学学报,1990,16(1):52-55. |
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| 作者姓名： | 赵明山 王若桢 |
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| 作者单位： | 曲阜师大激光所，北京师范大学物理系，北京师范大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV～1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV～3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).
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| 关 键 词： | 砷化镓 掺杂超晶格 PR谱 |
The Analysis on GaAs Doping Superlattices using Photoreflectance |
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| Zhao Mingshan Wang Ruozhen Lin Zhenjin.The Analysis on GaAs Doping Superlattices using Photoreflectance[J].Journal of Qufu Normal University(Natural Science),1990,16(1):52-55. |
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| Authors: | Zhao Mingshan Wang Ruozhen Lin Zhenjin |
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| Institution: | Zhao Mingshan Wang Ruozhen Lin Zhenjin |
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| Keywords: | GaAs doping superlattices photoreflectance |
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