| 纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 |
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| 引用本文： | 夏磊,周荃,徐金洲,张菁.纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究[J].东华大学学报(自然科学版),2008,34(1):117-121. |
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| 作者姓名： | 夏磊 周荃 徐金洲 张菁 |
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| 作者单位： | 东华大学,理学院,上海,201620 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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上海市纳米科技专项基金 |
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| 摘 要： | 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400 nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100:1:1的体积比进行配比的SiH<,4>:H<,2>: Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用.
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| 关 键 词： | 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏压 荧光(PL) 纳米多孔 硅基薄膜 常压等离子体 化学 气相沉积 过程研究 Chemical Vapor Deposition Atmospheric Structure Nano Thin Films 作用 纳米结构 负偏压 膜表面形貌 观测 电子显微镜 扫描 电子温度 沉积过程 |
| 文章编号： | 1671-0444(2008)01-0117-05 |
| 修稿时间： | 2006年10月31 |
The Investigation of Depositing Si-based Thin Films with Nano Structure by Atmospheric Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| XIA Lei,ZHOU Quan,XU Jin-zhou,ZHANG Jing.The Investigation of Depositing Si-based Thin Films with Nano Structure by Atmospheric Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Donghua University,2008,34(1):117-121. |
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| Authors: | XIA Lei ZHOU Quan XU Jin-zhou ZHANG Jing |
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