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硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性
引用本文:严勇健,吴雪梅,诸葛兰剑.硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性[J].苏州大学学报(医学版),2003,19(4):74-79.
作者姓名:严勇健  吴雪梅  诸葛兰剑
作者单位:[1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 [2]苏州大学分析测试中心,江苏苏州215006
基金项目:江苏省高校自然科学基金资助项目(O3KJB140116)
摘    要:多孔硅具有很强的室温发光,介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况,用传统的电化学法腐蚀样品,待多孔层分离后,通过SEM(表面电子显微镜)和PL(光致发光谱)观察多孔层分离后表面的形貌和光致发光特性,观察到样品有很强的蓝紫发光峰,在高温氧气气氛下退火后,发光强度增加,峰位不变,在大气中保存三个月后,发光峰又有所加强,证明样品具有很好的发光特性;FTIR(红外吸收谱)表明多孔层分离后样品表面主要由Si—O、Si—H键组成;利用量子限域—发光中心模型解释了发光机制,认为蓝紫光来自表面SiOx线中的发光中心。

关 键 词:多孔硅  多孔层  表面形貌  光致发光  可见蓝紫光发射特性  发光强度  发光机制
文章编号:1000-2073(2003)04-0074-06
修稿时间:2003年3月10日

The visible and stable ultraviolet-blue photoluminescence properties of silicon after the fade of the porous film
Abstract:
Keywords:porous film  photoluminescence  SiO_x  luminescence centers
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