硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性 |
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引用本文: | 严勇健,吴雪梅,诸葛兰剑.硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性[J].苏州大学学报(医学版),2003,19(4):74-79. |
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作者姓名: | 严勇健 吴雪梅 诸葛兰剑 |
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作者单位: | [1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 [2]苏州大学分析测试中心,江苏苏州215006 |
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基金项目: | 江苏省高校自然科学基金资助项目(O3KJB140116) |
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摘 要: | 多孔硅具有很强的室温发光,介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况,用传统的电化学法腐蚀样品,待多孔层分离后,通过SEM(表面电子显微镜)和PL(光致发光谱)观察多孔层分离后表面的形貌和光致发光特性,观察到样品有很强的蓝紫发光峰,在高温氧气气氛下退火后,发光强度增加,峰位不变,在大气中保存三个月后,发光峰又有所加强,证明样品具有很好的发光特性;FTIR(红外吸收谱)表明多孔层分离后样品表面主要由Si—O、Si—H键组成;利用量子限域—发光中心模型解释了发光机制,认为蓝紫光来自表面SiOx线中的发光中心。
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关 键 词: | 多孔硅 多孔层 表面形貌 光致发光 可见蓝紫光发射特性 发光强度 发光机制 |
文章编号: | 1000-2073(2003)04-0074-06 |
修稿时间: | 2003年3月10日 |
The visible and stable ultraviolet-blue photoluminescence properties of silicon after the fade of the porous film |
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Abstract: | |
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Keywords: | porous film photoluminescence SiO_x luminescence centers |
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