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| 对电子束蒸发沉积的ZnO：Al膜电学性能的研究 | |
| 引用本文： | 葛水兵.对电子束蒸发沉积的ZnO：Al膜电学性能的研究[J].苏州大学学报(医学版),1998,14(1):62-64. |
| 作者姓名： | 葛水兵 |
| 作者单位： | 苏州大学薄膜材料实验室，苏州大学薄膜材料实验室，苏州大学薄膜材料实验室 苏州 215006，苏州 215006，苏州 215006 |
| 摘 要： | 使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。 |
| 关 键 词： | 电子束蒸发沉积 氧化锌 铝 薄膜 电学性能 |
INVESTIGATION ON ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnO : Al FILM PREPARED BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION |
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| Ge Shuibing Cheng Shanhua Ning Zhaoyuan.INVESTIGATION ON ELECTRICAL PROPERTIES OF ZnO : Al FILM PREPARED BY ELECTRON-BEAM EVAPORATION[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),1998,14(1):62-64. | |
| Authors: | Ge Shuibing Cheng Shanhua Ning Zhaoyuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | Electron-beam evaporation Al-doped Zinc oxide films Substrate temperature Electrical properties |
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