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n—ZnO/p—CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算
引用本文:周炳卿.n—ZnO/p—CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2001,30(4):307-310,322.
作者姓名:周炳卿
作者单位:内蒙古师范大学物理系 内蒙古呼和浩特010022
摘    要:用隧道-复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失,引入修正因子,并用Roth-warf晶界复合模型进行修正。对晶粒半径R为1μm的电池进行计算,得到电池的短路电流密度为35.4mA/cm^2,开路电压为0.42V,转换效率为10.1%。理论计算和实验结果基本一致。

关 键 词:隧道-复合模型  n-ZnO/p-CuInSe2  薄膜太阳电池  光电流  半导体材料  多晶异质结  转换效率

THEORETICAL CALCULATION OF THE PHOTOCURRENT AND THE CONVERSION EFFICIENCY OF A n-ZnO/p-CuInSe_2 POLYCRYSTALLINE HETEROJUNCTION FILM SOLAR CELL
ZHOU Bing,qing.THEORETICAL CALCULATION OF THE PHOTOCURRENT AND THE CONVERSION EFFICIENCY OF A n-ZnO/p-CuInSe_2 POLYCRYSTALLINE HETEROJUNCTION FILM SOLAR CELL[J].Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition),2001,30(4):307-310,322.
Authors:ZHOU Bing  qing
Abstract:
Keywords:the tunnel  recombination model  n-ZnO/p-CuInSe  2  film solar cell  density of photocurrent
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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