| 射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响 |
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| 引用本文： | 张娜,李海泉,周炳卿,张林睿,张丽丽.射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2015(3):347-351. |
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| 作者姓名： | 张娜 李海泉 周炳卿 张林睿 张丽丽 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅薄膜 射频功率 沉积气压 光电特性 |
Effect of RF Power and Deposition Pressure on the Amorphous Silicon Thin Film Material Properties |
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