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| 氧离子束辅助PLD法生长ZnO/Si的XPS研究 | |
| 引用本文： | 李庚伟,吴正龙,刘志凯.氧离子束辅助PLD法生长ZnO/Si的XPS研究[J].渤海大学学报(自然科学版),2007,28(1):24-27. |
| 作者姓名： | 李庚伟 吴正龙 刘志凯 |
| 作者单位： | 1. 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京,100083 2. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875 3. 中国科学院半导体材料科学实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);中国地质大学(北京)校科研和校改项目 |
| 摘 要： | 利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构同一典型样品的不同部位进行了分析。讨论了同时刻(厚度)样品的生长情况及所说明的问题。提出要使样品生长得更理想,应做到使DIBD系统连续工作。 |
| 关 键 词： | ZnO/Si异质结构 X射线光电子能谱(XPS) 氧离子束辅助(O -assisted)PLD |
| 文章编号： | 23907226 |
| 修稿时间： | 09 13 2006 12:00AM |
X-Ray photoelectron spectroscopy studies of ZnO/Si grown by O+-assisted PLD |
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| LI Geng-wei,WU Zheng-long,LIU Zhi-kai.X-Ray photoelectron spectroscopy studies of ZnO/Si grown by O+-assisted PLD[J].Journal of Bohai University:Natural Science Edition,2007,28(1):24-27. | |
| Authors: | LI Geng-wei WU Zheng-long LIU Zhi-kai |
| Abstract: | At the different positions of the same typical sample,heteroepitaxial structres ZnO/Si(lll) grown by O -assisted Pulsed Laser Deposition(PLD) have been investigated by using X-ray Phptoelectron Sppctrposcopy(XPS)depth prpofile measurements.The growth states of the sample at different time(depth)and problems included have been discussed.If the DIBD works continuosly,a sample will be grown more perfectly. |
| Keywords: | ZnO/Si X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) O -assisted Pulsed Laser Deposition(PLD) |
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